人工晶體學報

所屬分類：經濟期刊; 時間：2016-07-11 15:16

　　人工晶體學報雜志社簡介

　　《人工晶體學報》(月刊)創刊于1972年，由中材人工晶體研究院主辦。

　　《人工晶體學報》(本刊刊登材料科學與工程技術方面，涵蓋晶體材料：半導體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術陶瓷，具有創新性、高水平、有重要意義的原始性研究學術論文以及反映學科最新發展狀況的文獻綜述等中英文稿件。獲獎情況：1997年獲國家科技優秀期刊;獲部級優秀科技期刊獎;中國期刊方陣“雙效”期刊;1987年獲優秀編輯二等獎。

　　人工晶體學報雜志欄目設置

　　學術論文、簡報

　　人工晶體學報雜志榮譽

　　CA 化學文摘(美)

　　CSCD 中國科學引文數據庫來源期刊(含擴展版)

　　EI 工程索引(美)

　　JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)

　　萬方收錄(中)

　　上海圖書館館藏

　　北大核心期刊(中國人文社會科學核心期刊)

　　國家圖書館館藏

　　文摘與引文數據庫

　　知網收錄(中)

　　統計源核心期刊(中國科技論文核心期刊)

　　維普收錄(中)

　　Caj-cd規范獲獎期刊

　　中國期刊方陣雙效期刊

　　中科雙效期刊

　　人工晶體學報雜志最新目錄

　　低溫GaN形核層的形核速率對GaN外延薄膜晶體質量的影響 廖建華;尚林;賈偉;余春燕;李天保;許并社

　　Na+摻雜KLaF4∶Er3+/Yb3+納米晶上轉換發光性能的研究 周海芳;王謝春;鄭巧;程樹英;賴云鋒

　　以硅片線鋸屑和石英為原料合成氮氧化硅粉體研究 李兵;尹傳強;魏秀琴;周浪

　　氣體進出方式對MPCVD大面積金剛石膜均勻性的影響 鐘強;黑鴻君;李曉靜;張阿莉;申艷艷;劉小萍;于盛旺

　　多晶硅鑄錠內嵌雜質引發熱應力的數值分析 劉堯;何力軍;狄紅祥;高忙忙;李海波

　　GaN襯底摻雜模式對ZnO納米棒光學性質的影響 戶芳;余春燕;梅伏洪;張華;許并社

　　雙靶反應共濺射制備WC薄膜及其電催化性能 李春梅;唐振方

　　多級孔LTA型沸石分子篩的合成、表征及其性能研究(英文) 亢玉紅;馬靜紅;薛招騰;李健;馬向榮

　　氟金云母玻璃陶瓷切削加工中刀具角度對刀具磨損的影響 陳斌;于愛兵;王燕琳;吳劍釗;牛威楊

　　水分散性N摻雜TiO2的制備及其光催化性能研究 曹永倩;樊彩梅;王雅文;王韻芳;張小超

　　基于旋磁材料一維光子晶體單向傳輸 徐青松;方云團;周駿

　　人工晶體學報雜志推薦閱讀

　　《液晶與顯示》本刊是中國最早創辦的液晶學科專業期刊，也是中國惟一的液晶學科和顯示領域中綜合性學術期刊。它由中國科學院長春光學精密機械與物理研究所和中國光學光電子行業協會液晶專業分會主辦，科學出版社出版。

　　人工晶體學報雜志社征稿要求

　　1、文題、作者姓名(一般不超過6人)、作者單位及所在城市和郵編、摘要、關鍵詞均需中英文對照。論文如果獲得有關研究基金或課題資助，需提供基金名稱及編號，并提供第一作者的姓名、出生年、性別、職稱、學位及E-mail地址;以及聯系人姓名、職稱、電話、傳真及E-mail地址。

　　2、論文題目應簡潔、準確，不宜使用縮略詞;摘要(中文)字數一般在200字左右，英文摘要字數可稍多，不一定與中文部分完全對應。摘要內容應包括論文的研究目的、方法及結果等;關鍵詞的個數為3～8個。文章字數3000～5000字，文中量、單位及符號的使用應符合國際標準和國家標準。注意容易混淆的外文字母的文種、大小寫、正斜體及上下角標的正確書寫。

　　3、圖(含照片)、表和公式應通篇分別編號，圖題、表題應有中英文對照。表格應采用三線表形式，內容以英文表述。曲線圖應直觀、簡潔，圖中文字用英文、量的名稱及符號、坐標要準確、清晰(物理量符號用斜體，單位用正體)并與文中一致，曲線圖的尺寸(高*寬)以100×130mm為宜，為方便修改，文中曲線圖應采用計算機繪圖，最好用Origin格式插入，字體采用Arial，4號字(24磅)，激光打印機打印。照片要求黑白分明，層次清晰。

　　4、參考文獻書寫格式請參考以下《人工晶體學報》參考文獻書寫規范。稿件具體格式、體例請參考近期出版的《人工晶體學報》中文版(點擊可下載范例)。

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